原  理

導波雷達發(fā)出的高頻微波脈沖沿著探測組件（鋼纜或鋼棒）傳播，遇到被測介質，由于介電常數(shù)突變，引起反射，一部分脈沖能量被反射回來。發(fā)射脈沖與反射脈沖的時間間隔與到被測介質的距離成正比。

容器中存在兩種不同介質，當上面一層的介質介電常數(shù)較小，而下面的介質介電常數(shù)較大時，高頻微波脈沖沿著探測組件傳播遇到上層介質時，由于其介電常數(shù)較小，因而有極少的能量被這一層介面反射，而大部分能量穿透上層介質繼續(xù)向下傳播，遇到兩層的介面時，由于下層介質的介電常數(shù)較大，因而會有較大的能量被反射回來。因而導波雷達是可以測量兩種不同介質的介面，其測量條件是上層介質不導電或其介電常數(shù)比下層介質介電常數(shù)小10以上。

特  點

由于采用了先進的微波處理器和*的EchoDiscovery回波處理技術，導波雷達物位計可以應用于各種復雜工況。

多種過程連接方式及探測組件的型式，使得CDGW系列導波雷達物位計適用于各種復雜工況。如：高溫、高壓及小介電常數(shù)介質等。

采用脈沖工作方式，導波雷達物位計發(fā)射功率極低，可安裝于各種金屬、非金屬容器內，對人體及環(huán)境均無傷害。

技術參數(shù)

應用:液體測量,高溫高壓工況,復雜過程條件

zui大量程： 纜：30m/棒：6m

測量精度：±10mm

過程連接：G1½A/G2A/1½NPT

探測組件材料：不銹鋼316L/陶瓷

鋼纜/棒直徑：￠6mm/￠10mm

過程溫度：-200～400℃

過程壓力：真空～400bar

信號輸出：兩線制4～20mA/HART

安裝要求

在整個量程內確保纜或棒不要接觸到內部障礙物，因此安裝時應盡可能避開罐內設施，如：人梯、限位開關、加熱設備、支架等。另外須注意纜或棒不得懷加料料流相交。

安裝儀表時還要注意：zui高料位不得進入測量盲區(qū)；儀表跑罐壁必須保持一定的距離；儀表的安裝盡可能使纜或棒方向懷被測介質表面垂直。

安裝在防潮區(qū)域內的儀表必須遵守國家防爆危險區(qū)的安裝規(guī)定。本安型的外殼采用鋁殼。本安型儀表可安裝在有防爆要求的場合，儀表必須接大地。

測量盲區(qū)

    從測量的基準面向下的一段區(qū)域內纜或棒zui低部位無法精確測量的一段區(qū)域內是導波雷達物位計的測量盲區(qū)。

選型指南